AMD先后發(fā)布了Instinct MI200系列加速計(jì)算卡的三款產(chǎn)品MI250X、MI250、MI210。下一代也正在路上。權(quán)威泄密者M(jìn)ILD給出了很多有趣的信息。

MI200系列首次采用2.5D雙核封裝，MI300系列將演進(jìn)為多個(gè)小芯片的3D集成封裝，類(lèi)似于Intel Ponte Vecchio，但沒(méi)有那么大和復(fù)雜。

MI300的內(nèi)部大致可以分為三層結(jié)構(gòu)。最底層是一塊巨大的中介層，面積約為2750平方毫米。 MLID直言，這是他見(jiàn)過(guò)的最大的。

Interposer層之上是一系列6nm工藝的Base Dies（基礎(chǔ)芯片），也可以稱(chēng)為塊（Tiles）。它們集成了負(fù)責(zé)輸入和輸出的IO Die、其他各種IP模塊以及可能的緩存。每塊面積約320-360平方毫米。

每個(gè)6nm塊上方是兩個(gè)5nm工藝Compute Die（計(jì)算芯片），每個(gè)面積約110平方毫米。里面是各種計(jì)算核心和相關(guān)模塊，不過(guò)據(jù)說(shuō)可以定制不同的模塊，以滿(mǎn)足不同的計(jì)算。需要。

同時(shí)，每個(gè)計(jì)算芯片對(duì)應(yīng)一個(gè)HBM3高帶寬內(nèi)存，容量暫時(shí)未知。

不同Die之間的連接通道多達(dá)20000個(gè)，大約是蘋(píng)果M1 Ultra的兩倍。

各種模具的數(shù)量和組合可靈活定制。最常見(jiàn)的中型配置是2顆6nm基礎(chǔ)芯片、4顆5nm計(jì)算芯片、4顆HBM3，總共10顆。

最高端的應(yīng)該翻倍，有4個(gè)基礎(chǔ)芯片，8個(gè)計(jì)算芯片，8個(gè)HBM3，一共20個(gè)。功耗預(yù)計(jì)在600W左右，和現(xiàn)在的最高端配置基本一致。

哦，對(duì)了，還支持PCIe 5.0。