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中國(guó)電子科技集團(tuán)襯底,中國(guó)電子科技集團(tuán)部門(mén)

Time:2024-05-19 03:51:16 Read:0 作者:

大家好,今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話(huà)題,就是關(guān)于中國(guó)電子科技集團(tuán)襯底的問(wèn)題,于是小編就整理了3個(gè)相關(guān)介紹中國(guó)電子科技集團(tuán)襯底的解答,讓我們一起看看吧。

6英寸碳化硅襯底是什么?

是硅片。

中國(guó)電子科技集團(tuán)襯底,中國(guó)電子科技集團(tuán)部門(mén)

襯底就是裸晶圓片,指的是一片純硅片或碳化硅片。

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。4H-SiC具有3.2(eV)的禁帶寬度,2.00飽和電子漂移速率(107 cm/s),3.5擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(MV/cm)以及4.00熱導(dǎo)率(W·cm-1·K-1),具有數(shù)倍于硅基的優(yōu)勢(shì)。

同光晶體的4英寸高純半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造高端射頻芯片,其各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平;在導(dǎo)電型襯底方面,同光晶體6英寸產(chǎn)品滿(mǎn)足電力電子器件的各方面技術(shù)要求,已具備批量生產(chǎn)條件,并在知名客戶(hù)處形成應(yīng)用。

碳化硅襯底是硅片么?

是硅片。

襯底就是裸晶圓片,指的是一片純硅片或碳化硅片。

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。4H-SiC具有3.2(eV)的禁帶寬度,2.00飽和電子漂移速率(107 cm/s),3.5擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(MV/cm)以及4.00熱導(dǎo)率(W·cm-1·K-1),具有數(shù)倍于硅基的優(yōu)勢(shì)。

半導(dǎo)體的襯底和外延的區(qū)別?

襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

外延(epitaxy)是指在經(jīng)過(guò)切、磨、拋等仔細(xì)加工的單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的過(guò)程,新單晶可以與襯底為同一材料,也可以是不同材料(同質(zhì)外延或者是異質(zhì)外延)。

半導(dǎo)體的襯底和外延的主要區(qū)別:

1、作用不同。襯底通常起支撐作用;外延為器件所需的特定薄膜。

2、制成材料不同。襯底是半導(dǎo)體單晶材料制成;外延可以與襯底為同一材料,也可以是不同材料。

二者的區(qū)別就是物質(zhì)不同

襯底是制造電路的原材料,它是光滑的原片。

外延片,經(jīng)過(guò)MOCVD工藝,可以在襯底上長(zhǎng)一層幾微米的單晶,可以與襯底為同一材料,也可以是不同材料(同質(zhì)外延或者是異質(zhì)外延。

半導(dǎo)體的襯底和外延存在著明顯的區(qū)別。
襯底是指半導(dǎo)體晶體的基底層,是其它晶體生長(zhǎng)的基礎(chǔ),通常由一種單質(zhì)元素或一種化合物形式制成。
而外延是在襯底晶片表面上,以某種方法使初始單晶不斷擴(kuò)展生長(zhǎng)的一層新晶體,通常具有與襯底相同的晶體結(jié)構(gòu)和晶向。
因此,襯底和外延的差別在于是否使用初始單晶,在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中是否使用了額外的半導(dǎo)體材料。
值得注意的是,襯底和外延的差異決定了它們?cè)诎雽?dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用的不同。
襯底通常作為制造半導(dǎo)體器件最基本的生長(zhǎng)階段使用,而外延則用于生產(chǎn)高級(jí)半導(dǎo)體器件,例如激光二極管、太陽(yáng)能電池等。

是:襯底是半導(dǎo)體芯片制作的基底,其中成功率和純凈度非常重要,是制作器件的核心;而外延是在襯底上進(jìn)行的另外一層晶體生長(zhǎng),它可以改變襯底的特性,實(shí)現(xiàn)器件功能的多樣化。
在制作芯片的過(guò)程中,襯底和外延的品質(zhì)對(duì)器件的特性有著決定性的影響。
需要注意的是,外延是在襯底上進(jìn)行生長(zhǎng)的一層晶體,它只有極薄的厚度,其成品與襯底一體化生長(zhǎng),形成整體的芯片結(jié)構(gòu)。
因此,盡管襯底和外延分別具有不同的作用,但它們?cè)诎雽?dǎo)體芯片制作過(guò)程中是緊密相連的,并且對(duì)芯片的性能具有重要的影響。

到此,以上就是小編對(duì)于中國(guó)電子科技集團(tuán)襯底的問(wèn)題就介紹到這了,希望介紹關(guān)于中國(guó)電子科技集團(tuán)襯底的3點(diǎn)解答對(duì)大家有用。

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