大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話題，就是關(guān)于科技發(fā)展中國站起來的問題，于是小編就整理了1個(gè)相關(guān)介紹科技發(fā)展中國站起來的解答，讓我們一起看看吧。
我從2012年就從事FPGA芯片的研發(fā)，經(jīng)歷了芯片的被冷落，到今天的備受關(guān)注?，F(xiàn)在芯片領(lǐng)域有一點(diǎn)風(fēng)吹草動(dòng)，大家都仿佛看到了希望。其實(shí)，華為的困境只是中國半導(dǎo)體困境的縮影，華為的問題，折射出了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重大缺陷。
中國芯片的轉(zhuǎn)機(jī)無非說的是中芯國際在工藝上的進(jìn)展。10月，芯動(dòng)科技宣布完成了基于中芯國際N+1工藝的芯片流片和測(cè)試工作，這是中芯國際N+1工藝商用的標(biāo)志性事件，對(duì)中芯國際來說，中芯國際的工藝水平又上一層樓。
中芯國際
據(jù)中芯國際CEO梁孟松說，中芯國際N+1工藝相當(dāng)于臺(tái)積電的7nm工藝。那么，換句話說，一定程度上中芯國際已經(jīng)具備取代臺(tái)積電7nm工藝的能力，這對(duì)中國半導(dǎo)體行業(yè)來說，是一個(gè)重大利好消息。
但不得不指出的是，中芯國際目前使用的還是DUV光刻機(jī)，而不是最先進(jìn)的EUV。正是ASML最先進(jìn)EUV光刻機(jī)的的缺乏，才有了N+1工藝的應(yīng)運(yùn)而生，這也是中芯國際曲線救國的無奈之舉。
每個(gè)人都很清楚，華為眼下的困局是臺(tái)積電無法代工問題。那么，中芯國際是否有能力取代臺(tái)積電？我們先看看中芯國際的工藝水平。中芯國際最先進(jìn)的就是現(xiàn)在所謂“7nm”的N+1工藝，而臺(tái)積電早在2018年就完成7nm，而現(xiàn)在主打5nm，正在研發(fā)3nm，下圖一目了然
不同代工廠工藝發(fā)展進(jìn)程
我們?cè)倏慈A為需要的，華為的主流芯片包括智能手機(jī)芯片，基帶芯片以及ASIC等芯片，這些芯片主要工藝都集中在5nm、7nm和14nm上，而高端芯片則一定是5nm，因?yàn)楫?dāng)蘋果發(fā)布5nm的A14時(shí)，華為如果還是7nm，那么明顯沒有競爭力。
先進(jìn)工藝的不同客戶
謝邀。
雖然僅僅是突破，但是，時(shí)間已經(jīng)再一次說明：西方國家，尤其是美國只要在中國前進(jìn)的道路上設(shè)一次障礙，中國就會(huì)跳越前進(jìn)。毛澤東曾說過：雄關(guān)漫道真如鐵，而今邁步從頭越！這句話，濃縮了中華文化的世界難以匹敵，證實(shí)了中國人的堅(jiān)強(qiáng)信念舉世無雙。更加上中國現(xiàn)在是由世界上最負(fù)責(zé)任的中國共產(chǎn)黨領(lǐng)導(dǎo)，中國實(shí)行的是世界上最先進(jìn)的社會(huì)制度。豈是西方國家尤其是美帝的制裁，卡脖子能難為得了的，等著我們國家的超越吧！
大家必須清楚，如果未來1-2年內(nèi)，中國芯片不能取得重大突破，全球除美國之外的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將逐步被美國蠶食掉。中芯國際好消息傳出，業(yè)界興奮不已，全球首個(gè)基于中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次測(cè)試通過，為國產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)鏈再立新功。
這一消息基本宣布中國7nm芯片制造取得突破
目前來看，臺(tái)積電已經(jīng)進(jìn)入3nm、2nm工藝制程的芯片生產(chǎn)研發(fā)，預(yù)計(jì)將在2022-2023年逐步投產(chǎn)。而當(dāng)今世界最先進(jìn)的芯片制程工藝就是臺(tái)積電的5nm技術(shù)，包括華為麒麟、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋果等芯片都出自臺(tái)積電的5nm技術(shù)制造寫成。本來，三星也具備進(jìn)入5nm的能力，但由于2019年日韓之間的貿(mào)易爭端，導(dǎo)致日本限制了三種芯片先進(jìn)制造的原材料出口韓國，這使得三星的7nm工藝制程的芯片生產(chǎn)都顯得磕磕絆絆。
據(jù)了解，最新芯動(dòng)科技宣布的流片和測(cè)試成功，能夠完成7nm芯片的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的制造，要知道到達(dá)7nm雖然與臺(tái)積電的5nm、3nm、2nm芯片工藝制程還存在比較大的差距，但至少“卡脖子”問題已經(jīng)基本得到解決。
據(jù)了解，“N＋1”工藝是其在第一代先進(jìn)工藝14nm量產(chǎn)之后的第二代先進(jìn)工藝的代號(hào)，與現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。在2020年半年報(bào)中，中芯國際曾表示，第二代先進(jìn)工藝（N＋1）進(jìn)展順利，已進(jìn)入客戶產(chǎn)品驗(yàn)證階段。今年9月，該公司回應(yīng)稱，第二代FinFET N＋1工藝已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，有望于2020年底小批量試產(chǎn)。
美國在芯片上不僅卡脖子中國，而且還想借此機(jī)會(huì)逐漸扼殺除美國之外的其他國家的芯片產(chǎn)業(yè)
到此，以上就是小編對(duì)于科技發(fā)展中國站起來的問題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于科技發(fā)展中國站起來的1點(diǎn)解答對(duì)大家有用。
