由于庫(kù)存過(guò)多，今年NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格下跌趨勢(shì)難以扭轉(zhuǎn)，但跌幅可能會(huì)收窄。

近期，價(jià)格持續(xù)走低的NAND Flash（閃存芯片）市場(chǎng)突然遭遇行業(yè)變革。

7月初，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布，日本將限制向韓國(guó)出口三類(lèi)半導(dǎo)體和OLED材料。 7月4日起，含氟聚酰亞胺、光刻膠、高純氟化氫等三種材料將被限制向韓國(guó)出口。

其中，光刻膠與NAND Flash等存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)制造相關(guān)。有手機(jī)從業(yè)者曾向記者表示，存儲(chǔ)已經(jīng)超越屏幕和CPU，成為手機(jī)最大的成本。手機(jī)中存儲(chǔ)的成本已經(jīng)達(dá)到25%-35%，可見(jiàn)其重要性。

另一方面，6月底，東芝NAND Flash工廠突然斷電13分鐘，至今尚未恢復(fù)正常運(yùn)營(yíng)。這些因素都會(huì)對(duì)NAND Flash后續(xù)的產(chǎn)能和價(jià)格產(chǎn)生影響，因此也有傳言稱(chēng)未來(lái)NAND Flash的價(jià)格將會(huì)上漲。

但業(yè)內(nèi)人士表示，雖然跌幅可能收窄，但價(jià)格下滑的趨勢(shì)難以改變。集邦咨詢(xún)研究員陳杰偉對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示：預(yù)計(jì)2019年NAND ASP將下滑40%。

閃存市場(chǎng)的兩件意外事件

具體來(lái)說(shuō)，一方面，日本對(duì)韓國(guó)的半導(dǎo)體出口更加嚴(yán)格。自7月4日起，韓國(guó)最惠國(guó)待遇被取消。對(duì)含氟聚酰亞胺、光刻膠、氟化氫三類(lèi)半導(dǎo)體材料的出口限制由原來(lái)的免申請(qǐng)出口許可證改為個(gè)案審查，相關(guān)審查流程最長(zhǎng)需要90個(gè)工作日。

據(jù)新華社報(bào)道，日本政府7月9日拒絕了韓國(guó)的談判提議，并重申不打算解除對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)原材料出口的限制。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣世耕弘成9日結(jié)束內(nèi)閣會(huì)議后對(duì)記者表示：“對(duì)韓國(guó)的出口限制是沒(méi)有談判余地的，我們沒(méi)有撤回(管制措施)的計(jì)劃?！?

隨著日韓貿(mào)易摩擦加劇，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到?jīng)_擊。對(duì)于韓國(guó)主要存儲(chǔ)廠商來(lái)說(shuō)，光刻膠的影響最大。

據(jù)了解，光刻技術(shù)是芯片制造中的重要工藝，而光刻膠是實(shí)現(xiàn)光刻技術(shù)的關(guān)鍵材料。它是涂覆在半導(dǎo)體基板上的感光劑，約占芯片制造成本的7%。在光刻膠上游領(lǐng)域，日本企業(yè)占據(jù)壟斷地位。

在NAND Flash市場(chǎng)，主要廠商有三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾等，其中三星陣營(yíng)和東芝陣營(yíng)占據(jù)市場(chǎng)半壁江山。日本斷供還將影響韓國(guó)三星和SK海力士的NAND Flash芯片制造，導(dǎo)致減產(chǎn)。

為了應(yīng)對(duì)這種情況，業(yè)內(nèi)也有報(bào)道稱(chēng)海力士正在與英特爾談判或收購(gòu)大連工廠和3D NAND業(yè)務(wù)以補(bǔ)充產(chǎn)能。此外，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部提出了加強(qiáng)韓國(guó)國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈的復(fù)興戰(zhàn)略。預(yù)計(jì)從2021年起將投入6萬(wàn)億韓元（約合51億美元）的預(yù)算用于半導(dǎo)體材料、零部件和設(shè)備的研發(fā)。

另一方面，東芝6月份遭遇停電。五家工廠未能幸免，尚未完全恢復(fù)。這也影響了NAND Flash的產(chǎn)能。受傷的工廠還包括東芝和西部數(shù)據(jù)的合資工廠。西部數(shù)據(jù)公開(kāi)表示大約6 ExaByte？ （EB）產(chǎn)能受到影響。

陳杰偉告訴記者，東芝NAND Flash產(chǎn)能受影響至少30%，但預(yù)計(jì)7月中旬恢復(fù)生產(chǎn)。

除了上述突發(fā)事件外，另一巨頭美光的營(yíng)收和產(chǎn)能也并不理想。受供過(guò)于求的環(huán)境以及中美貿(mào)易摩擦的影響，美光2019財(cái)年Q3季度NAND營(yíng)收占總營(yíng)收約31%，營(yíng)收環(huán)比下滑18%，同比下滑25% -年。為了進(jìn)一步改善市場(chǎng)供需，美光決定將NAND Flash產(chǎn)量削減比例從原來(lái)的5%提高到10%，同時(shí)還將減少2020年的資本支出。

那么，面對(duì)今年NAND Flash產(chǎn)能減少，第三季度開(kāi)始產(chǎn)品價(jià)格會(huì)上漲嗎？

下跌趨勢(shì)難以逆轉(zhuǎn)

有人士認(rèn)為，上述兩起事件將對(duì)NAND Flash的價(jià)格產(chǎn)生影響，甚至預(yù)計(jì)NAND Flash的價(jià)格將上漲10%至15%。

不過(guò)，陳杰偉告訴記者：7月份，溝道晶圓報(bào)價(jià)預(yù)計(jì)至少上漲10%，但成交價(jià)格可能不會(huì)上漲那么多。 TrendForce預(yù)計(jì)2019年NAND ASP將下跌40%。

根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲(chǔ)存研究（DRAMeXchange）評(píng)估，東芝事件將使晶圓短期報(bào)價(jià)面臨漲價(jià)壓力。第三季度2D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格可能上漲，3D NAND Flash跌幅可能小幅收斂。其中，對(duì)2D NAND產(chǎn)品的影響更為明顯。由于東芝四日市工廠仍是市場(chǎng)重要供應(yīng)來(lái)源，且該類(lèi)產(chǎn)品庫(kù)存水平較低，預(yù)計(jì)第三季度將面臨上漲壓力。

不過(guò)，對(duì)于基于3D NAND架構(gòu)的eMMC/UFS、SSD等主流產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，在買(mǎi)賣(mài)雙方高庫(kù)存的支撐下，第三季度合約價(jià)下跌趨勢(shì)不會(huì)逆轉(zhuǎn)，但跌幅可能會(huì)小幅下降。減少。晶圓(wafer)及渠道零售市場(chǎng)，由于西部數(shù)據(jù)相當(dāng)大的市場(chǎng)影響力以及美光宣布擴(kuò)大減產(chǎn)，加上今年市場(chǎng)長(zhǎng)期承受接近成本線(xiàn)的壓力，集邦咨詢(xún)行情預(yù)計(jì)帶來(lái)短期上行壓力，預(yù)計(jì)四季度合同價(jià)格將持平或小幅走低。

另一方面，中國(guó)本土的長(zhǎng)江存儲(chǔ)也在擴(kuò)大產(chǎn)能。據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)將于2019年底在其武漢存儲(chǔ)基地量產(chǎn)64層3D NAND。長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在武漢建設(shè)一座耗資240億美元的半導(dǎo)體工廠。雖然與國(guó)際大廠相比，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND仍然落后，產(chǎn)能也不大，但差距正在迅速縮小，這也會(huì)對(duì)NAND Flash市場(chǎng)的價(jià)格產(chǎn)生影響。

2017年，隨著閃存等存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，一度引發(fā)包括手機(jī)、固態(tài)硬盤(pán)、內(nèi)存條等產(chǎn)品的一系列漲價(jià)。直到2018年，供需關(guān)系發(fā)生變化，閃存價(jià)格持續(xù)下跌，2019年跌勢(shì)仍在繼續(xù)。

韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)相關(guān)報(bào)告顯示，2019年2月，8GB系統(tǒng)內(nèi)存DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）全球市場(chǎng)單價(jià)為5.9美元，較2017年同期下降36.8%，而128GB閃存內(nèi)存NAND Flash全球市場(chǎng)單價(jià)為5美元，較去年同期下降25.2%。

總體來(lái)看，由于庫(kù)存過(guò)多，今年NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格下滑趨勢(shì)難以扭轉(zhuǎn)，但跌幅可能會(huì)收窄。