2019年,國內(nèi)存儲器、閃存領(lǐng)域取得重大突破。長江存儲量產(chǎn)64層3D閃存,合肥長鑫量產(chǎn)DDR4內(nèi)存。后者預(yù)計今年將成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片工廠。
在DRAM內(nèi)存芯片市場,三星、SK海力士和美光占據(jù)了95%以上的市場份額。以最新Q2季度為例,僅三星就占據(jù)了44%左右,SK海力士則占據(jù)了30%左右。美光在21%左右,給其他廠商留下的空間很小。
目前,全球第四大內(nèi)存制造商是南亞科技。早些時候是Huayaco。不過,華亞科已被美光全資收購。排名第五的南亞已晉升至第四,但份額約為3%。只是,其產(chǎn)能僅為7萬片/月。
這也給了合肥長鑫快速超越的機會。 Digitime爆料稱,合肥長鑫的產(chǎn)能可能在今年年底突破每月7萬片晶圓,這意味著他們有望超越南亞,成為全球第四大DRAM芯片廠。
當(dāng)然,正如之前所說,即使長鑫真的做到了,這個第四名和前三名之間的差距其實也是非常大的。前3名廠商幾乎是贏家通吃,產(chǎn)能遠高于其他企業(yè)。
目前長鑫量產(chǎn)的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要基于19nm工藝。與三星等公司相比,他們落后了時代2-3年。提高技術(shù)水平也是長鑫的關(guān)鍵。
好消息是,長鑫預(yù)計在2021年完成17nm工藝的內(nèi)存芯片,幾乎相當(dāng)于業(yè)界的1Xnm工藝,并且可以繼續(xù)提高內(nèi)存的存儲密度。
據(jù)此前官方消息,以長鑫為代表的安徽半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將在未來2-3年內(nèi)推動低功耗高速LPDDR5 DRAM產(chǎn)品的發(fā)展,并自主研發(fā)面向中高端的DRAM存儲芯片。終端手機、平板電腦和消費產(chǎn)品。控制需求,開發(fā)先進的低功耗高速LPDDR5產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
依托DRAM 17nm及以下工藝,攻克高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計技術(shù)、低功耗供電(電壓)技術(shù)、片上糾錯編碼(On-Die ECC)技術(shù),完成開發(fā)低功耗高速LPDDR5 DRAM產(chǎn)品。
資料顯示,合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元。位于合肥臨空經(jīng)濟示范區(qū),面積約15.2平方公里。由長鑫12英寸存儲晶圓制造基地(以下簡稱基地)組成,由空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國際小鎮(zhèn)三個區(qū)域組成。
其中,長鑫12英寸內(nèi)存晶圓制造基地項目是中國大陸首個投入量產(chǎn)的DRAM設(shè)計制造一體化項目。也是安徽省單筆投資最大的工業(yè)項目,總投資約1500億元;空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園位于基地西側(cè),總投資超過200億元;合肥空港國際小鎮(zhèn)位于基地北側(cè),規(guī)劃用地面積9.2平方公里,規(guī)劃總建筑面積420萬平方米,總投資約500億元。