2019年，國內(nèi)存儲器、閃存領(lǐng)域取得重大突破。長江存儲量產(chǎn)64層3D閃存，合肥長鑫量產(chǎn)DDR4內(nèi)存。后者預(yù)計今年將成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片工廠。

在DRAM內(nèi)存芯片市場，三星、SK海力士和美光占據(jù)了95%以上的市場份額。以最新Q2季度為例，僅三星就占據(jù)了44%左右，SK海力士則占據(jù)了30%左右。美光在21%左右，給其他廠商留下的空間很小。

目前，全球第四大內(nèi)存制造商是南亞科技。早些時候是Huayaco。不過，華亞科已被美光全資收購。排名第五的南亞已晉升至第四，但份額約為3%。只是，其產(chǎn)能僅為7萬片/月。

這也給了合肥長鑫快速超越的機會。 Digitime爆料稱，合肥長鑫的產(chǎn)能可能在今年年底突破每月7萬片晶圓，這意味著他們有望超越南亞，成為全球第四大DRAM芯片廠。

當(dāng)然，正如之前所說，即使長鑫真的做到了，這個第四名和前三名之間的差距其實也是非常大的。前3名廠商幾乎是贏家通吃，產(chǎn)能遠高于其他企業(yè)。

目前長鑫量產(chǎn)的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要基于19nm工藝。與三星等公司相比，他們落后了時代2-3年。提高技術(shù)水平也是長鑫的關(guān)鍵。

好消息是，長鑫預(yù)計在2021年完成17nm工藝的內(nèi)存芯片，幾乎相當(dāng)于業(yè)界的1Xnm工藝，并且可以繼續(xù)提高內(nèi)存的存儲密度。

據(jù)此前官方消息，以長鑫為代表的安徽半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將在未來2-3年內(nèi)推動低功耗高速LPDDR5 DRAM產(chǎn)品的發(fā)展，并自主研發(fā)面向中高端的DRAM存儲芯片。終端手機、平板電腦和消費產(chǎn)品。控制需求，開發(fā)先進的低功耗高速LPDDR5產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

依托DRAM 17nm及以下工藝，攻克高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計技術(shù)、低功耗供電（電壓）技術(shù)、片上糾錯編碼（On-Die ECC）技術(shù)，完成開發(fā)低功耗高速LPDDR5 DRAM產(chǎn)品。

資料顯示，合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元。位于合肥臨空經(jīng)濟示范區(qū)，面積約15.2平方公里。由長鑫12英寸存儲晶圓制造基地（以下簡稱基地）組成，由空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國際小鎮(zhèn)三個區(qū)域組成。

其中，長鑫12英寸內(nèi)存晶圓制造基地項目是中國大陸首個投入量產(chǎn)的DRAM設(shè)計制造一體化項目。也是安徽省單筆投資最大的工業(yè)項目，總投資約1500億元；空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園位于基地西側(cè)，總投資超過200億元；合肥空港國際小鎮(zhèn)位于基地北側(cè)，規(guī)劃用地面積9.2平方公里，規(guī)劃總建筑面積420萬平方米，總投資約500億元。