在連續(xù)七個(gè)季度下滑后，NAND閃存市場(chǎng)將在今年年底出現(xiàn)好轉(zhuǎn)。 Q3閃存價(jià)格跌幅明顯收窄，預(yù)計(jì)Q4將由跌轉(zhuǎn)漲，漲幅在10%左右。

價(jià)格發(fā)生變化的同時(shí)，上游閃存廠商也開(kāi)始有新動(dòng)作。韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星計(jì)劃明年將存儲(chǔ)芯片支出增加至65 億美元。新增資金將主要用于在中國(guó)西安建設(shè)第二家閃存工廠。一期工程。

在中國(guó)西安，三星于2014年投資70億美元建設(shè)閃存工廠一期，主要生產(chǎn)第一代V-NAND閃存芯片。 2017年，三星與西安市政府簽署新協(xié)議，到2020年再投資70億美元建設(shè)第二座閃存工廠。

不過(guò)，2017年閃存市場(chǎng)依然是牛市，價(jià)格已經(jīng)連續(xù)一年多上漲。在2018年和2019年閃存價(jià)格連續(xù)下跌之后，三星西安工廠的建設(shè)也放緩了。目前新工廠建設(shè)的加速，其實(shí)是因?yàn)殚W存市場(chǎng)即將迎來(lái)拐點(diǎn)。 2020年總體樂(lè)觀。三星大規(guī)模建設(shè)新工廠將有助于搶占更高份額。